研究人員解釋稱，長距離通信網絡、數據中心光互連和微波光子系統都依賴激光來産生光載波以用于數據傳輸。但大多數情況下，激光器是獨立設備，位于調制器外部，這會使整個系統更昂貴，且穩定性和可擴展性也較差。

　　最新研究資深作者馬科·隆卡爾說：“集成铌酸锂是開發高性能芯片級光學系統的重要平台，但將激光器安裝到铌酸锂芯片上已被證明是一個極大的挑戰。在這項研究中，我們借助納米制造技巧和技術，克服了這些挑戰，實現了在薄膜铌酸锂平台上集成高功率激光器的目標。”

　　研究團隊強調說，將薄膜铌酸锂器件與高功率激光器相結合，是朝著大規模、低成本、高性能發射陣列和光網絡方向邁出的關鍵一步。他們計劃繼續提高激光器的功率和可擴展性，以使其能應用于更多領域。

　　這款芯片上的激光器與50千兆赫茲電光調制器相結合，組成一台高功率發射器。圖片來源：物理學家組織網

　　在最新研究中，哈佛大學約翰·A·保爾森工程與應用科學學院（SEAS）的研究人員與行業合作夥伴攜手，在铌酸锂芯片上開發了第一台全集成高功率激光器。他們將小型但功能強大的分布式反饋激光器集成在芯片上。這些激光器位于蝕刻在铌酸锂芯片內的小井或溝槽中，且與铌酸锂內的50千兆赫茲電光調制器相結合，構建了一個高功率發射器。

　　最新研究第一作者、SEAS研究生阿米拉桑·沙姆斯·安薩裏說：“集成高性能即插即用激光器將顯著降低未來通信系統的成本、複雜性和功耗。我們最新研制出來的這款集成激光器可以集成到更大的光學系統中，用于傳感、激光雷達和數據通信等一系列應用。”